АО «Экран-оптические системы» («ЭОС», актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка «ЭКРАН»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия, сообщили в пресс-службе РАТМ Холдинга. Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник – средства акционера и заемные.

Как сообщил генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин, производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП,– до 10 тыс. пластин GaAs* в год.

Отмечается, что в настоящее время «ЭОС» – единственное предприятие в стране, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы (ЭКБ) – сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи.

— При поддержке ученых мы можем предложить как стандартизированные варианты напыления подложки, так и специальные решения, выполненные под заказ, — говорит Андрей Гугучкин. — Сотрудничество с ИФП – уникальный пример синергии науки и частного бизнеса. Мы не руководствуемся сиюминутной выгодой, а демонстрируем государственный подход к решению бизнес-задач: занимаемся сложной темой, необходимой для развития микроэлектроники – технологической основы рынков и продуктов цифровой эпохи. Именно те страны, в которых эта отрасль базовая, являются локомотивами мировой экономики.

По словам Андрея Гугучкина, наногетероструктуры GaAs (относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц) необходимы для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей для космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники и др.

— Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5** и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года, — поясняет Андрей Гугучкин. — ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия*** этот показатель увеличивается в разы – до 20-25 Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем – ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений – примерно 1 млрд рублей.

Объем выпускаемых изделий в денежном выражении при достижении показателей первого этапа составит 350-400 млн рублей в год, второго этапа – до 1,2-1,5 млрд рублей; третьего – до 3 млрд рублей. АО «Экран-оптические системы» намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их.

*Химическая формула арсенида галлия – GaAs

** Бинарные соединения элементов III и V групп периодической системы, являющиеся полупроводниками

***Химическая формула нитрида галлия – GaN

Фото: Юлия Данилова