— Несколько лет назад мы заключили соглашение с индустриальным партнером — АО «Экран-оптические системы» — по производству полупроводниковых материалов (гетероструктур на основе арсенида галлия) для электроники, которые применяются в компонентной базе для телекоммуникационных систем, солнечных элементов, современной электронной базы. Мы предоставили площадку, научное и технологическое сопровождение проекта, а компания закупила современное оборудование — установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) 4-го поколения фирмы Riber — и отвечает за бизнес-план проекта, — рассказал во время пресс-тура в Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) замдиректора по научно-организационной работе Александр Каламейцев.

Ученый уточнил, что в России сегодня 4 МЛЭ: одна находится в процессе наладки, одна не запущена, а одна работает на полную мощность. Новосибирская установка — единственная за Уралом.

— Для запуска такой системы нужны глубокие знания в области физических процессов, сверхвысокого вакуума. Наши институты на этой установке будут отрабатывать все технологические процессы, процессы роста, непосредственной эпитаксии и т.д. Она позволяет гибко варьировать различные модификации структур. Надеемся, что это позволит нам расширить и повысить нашу квалификацию, — говорит младший научный сотрудник лаборатории МЛЭ ИФП СО РАН Дмитрий Дмитриев.

Замдиректора по научной работе ИФП СО РАН Александр Милехин рассказывает, что после отработки технологий институт планирует получать от «Экран-оптические системы» заказы о необходимых рынку структурах, последовательности слоев. Ученые будут разрабатывать эти рецепты и процессы.

Начальник производственного участка №36 по освоению промышленного производства АО «Экран-оптические системы» Иван Телегин пояснил, что производительность установки будет составлять 10 тысяч структур на подложках диаметром 100-150 мм в год.

— Установка полностью автоматизирована, вмешательство человека минимизировано, то есть сделано все для того, чтобы получать структуры с высоким качеством и степенью однородности. Сейчас МЛЭ находится в режиме технического запуска. Технологический планируется в 2020 году, — говорит Телегин. — Установка сразу может работать на полную мощность, но объем ее загрузки будет зависеть от заказов. В перспективе мы можем нарастить ее мощность.

Потенциальных потребителей он не назвал, но отметил, что их будет много и это компании, работающие с проектами из сферы микроэлектроники, оптоэлектроники, занимающиеся исследованием космоса, микропроцессорными технологиями. Объем инвестиций Телегин также не озвучил, как и цену, по которой компания планирует продавать свою продукцию на рынке. По оценкам Милехина, запуск установки позволит закрыть потребность в гетероструктурах потребителей, расположенных в Сибири и на Дальнем Востоке.

По словам Дмитрия Дмитриева, в рамках проекта также планируется закупка оборудования для паспортизации и характеристики исследования выращенных структур, что позволит проекту стать пилотным в области микроэлектроники и оптоэлектроники, а также стать центром притяжения для других наукоемких производств.

Технология производства гетероструктур является одним из элементов Центра нанотехнологий, продвигаемых  ИФП СО РАН в рамках программы «Академгородок 2.0». Ряд разработок, которые также войдут в центр, институт планирует представить на форуме «Технопром-2019» в конце сентября.

Напомним, проект по созданию промышленного производства полупроводниковых гетероструктур и электронных компонентов на их основе председатель совета директоров АО «Экран-оптические системы» Валерий Гугучкин презентовал на инвестиционном совете области в апреле 2018 года. Тогда он сообщал, что общий объем инвестиций в проект составит 2,8 млрд рублей, из них 344 млн необходимы для реализации первого этапа. Первую очередь проекта планировалось разместить в ИФП СО РАН, на втором этапе производство намеревались перенести на площадки завода «Экран». По данным Гугучкина, в 2017 году объем мирового рынка устройств на основе нитрида галлия составлял 380 млн долларов, в 2023 году, по прогнозам, он может вырасти до 1,3 млрд. При этом Тайвань сегодня выпускает свыше 200 тысяч элементов на основе арсенида галлия, США — 106 тысяч, Китай — 50 тысяч, а Россия — менее 5 тысяч при потребности в 30 тысячах в год.

Фото автора