Развитие микроэлектроники предъявляет новые требования к т.н. универсальной памяти. С одной стороны, постоянно растут требования к объемам вычислений и сохраняемой компьютером информации, но чем больше информации, тем сложнее обеспечить быстродействие ее накопителя. С другой стороны, сохраняется проблема ограниченного числа циклов перезаписи, которые способны выдержать подобные элементы без утраты части данных. Обойти эти ограничения ученые рассчитывают с помощью применения новых материалов для производства элементов памяти, сообщает Центр взаимодействия с органами власти и индустриальными партнерами НГУ.

В ходе исследований сотрудники ЦКП «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» Физического факультета Новосибирского государственного университета обратили внимание на майенитный электрид — это особый тип материалов, в которых электроны играют роль проводящих анионов.

— После определенных манипуляций майенит преобразуется в чёрный электрид и приобретает металлические свойства, что интересно с точки зрения микроэлектроники, —говорит заместитель заведующего ЦКП «ВТАН» НГУ к.ф.-м.н. Павел Гейдт.

К плюсам нового материала относятся возможность перезаписи информации значительное количество раз (оценочно порядка 1012), низкая энергия, требуемая для переключения, и при этом высокая скорость переключения, а также возможность сохранять состояние в течение нескольких лет (энергонезависимость), даже при экстремально высоких температурах.

— В настоящее время мы ориентируемся на работу с пленками из этого материала, у нас есть понимание того, как должен выглядеть многослойный элемент с использованием этого материала, чтобы он мог использоваться в микроэлектронной промышленности, более того нами создан прототип такого элемента и сейчас надо довести эту работу до того уровня, когда результат станет интересен производственникам, — отметил Павел Гейдт.

До конца 2024 года ученые планируют превратить результат лабораторного исследования в технологию.

Ранее редакция сообщала, что определены все производители оборудования для первой очереди станций СКИФа.